Rancang bangun Penguat Daya 1-tingkat untuk aplikasi Radar FM CW

Taupik, Opik (2018) Rancang bangun Penguat Daya 1-tingkat untuk aplikasi Radar FM CW. Diploma thesis, UIN Sunan Gunung Djati Bandung.

Preview	Text (COVER) 1_cover.pdf Download (144kB) | Preview
Preview	Text (ABSTRAK) 2_abstrak.pdf Download (121kB) | Preview
Preview	Text (DAFTAR ISI) 3_daftarisi.pdf Download (365kB) | Preview
Preview	Text (BAB I) 4_bab1.pdf Download (927kB) | Preview
	Text (BAB II) 5_bab2.pdf Restricted to Registered users only Download (1MB) | Request a copy
	Text (BAB III) 6_bab3.pdf Restricted to Registered users only Download (485kB) | Request a copy
	Text (BAB IV) 7_bab4.pdf Restricted to Registered users only Download (3MB) | Request a copy
	Text (BAB V) 8_bab5.pdf Restricted to Registered users only Download (1MB) | Request a copy
	Text (BAB VI) 9_bab6.pdf Restricted to Registered users only Download (244kB) | Request a copy
	Text (DAFTAR PUSTAKA) 10_daftarpustaka.pdf Restricted to Registered users only Download (199kB) | Request a copy

Abstract

Penguat daya pada gelombang mikro berperan sebagai penguat sinyal radio yang akan ditransmisikan ke antena. Amplitudo keluaran pembangkit sinyal RF (oscillator) masih begitu lemah untuk ditransmisikan sehingga penambahan penguat daya akan meningkatkan amplitudo sinyal yang ditransmisikan. Impedansi komponen aktif yang digunakan sebagai penguat terhadap impedansi sumber dan impedansi beban harus sesuai supaya tingkat penguatan sinyal maksimal. Penguat daya yang dirancang adalah penguat daya satu tingkat bekerja pada frekuensi 9.30 GHz, harus memenuhi faktor kestabilan (K) > 1 supaya rangkaian penguat daya dalam keadaan stabil, perolehan gain 4-6 dB dan Voltage Standing-Wave Ratio (VSWR) dibawah 1.5. Penguat daya ini disusun oleh transistor GaAs FET MGF2430A dengan mikrostrip sebagai rangkaian penyesuai impedansinya. Substrat yang digunakan pada penguat daya ini adalah RT/duroid 5880 dengan ketebalan substrat sebesar 1.575 mm. Pada simulasi penguat daya di frekuensi 9.30 GHz diperoleh VSWR1 (sisi sumber) sebesar 1.041, VSWR2 (sisi beban) sebesar 1.012 dan gain sebesar 5.029 dB. Pada pengukuran penguat daya diperoleh VSWR1 sebesar 1.248 dan VSWR2 sebesar 1.298 di frekuensi 10.6125 GHz, dan gain sebesar 5.50 dB di frekuensi 9.30 GHz. Perbedaan hasil antara simulasi dan realisasi dikarenakan simpangan dari nilai-nilai komponen pasif yang digunakan, ketelitian manufacture PCB, akurasi nilai Er dan karakteristik nyata dari transistor.

Actions (login required)

View Item